- 19 Haz 2016
- 8,533
- 146
- 63
[h=2]Samsung Electronics, büyük veri ağları, bulut bilişim ve gerçek zamanlı analizlere ilişkin sürekli artan talepleri karşılayacak yeni nesil flaş bellek çözümlerini tanıttı.[/h]Samsung Electronics, 4. nesil Dikey NAND (V-NAND) ürününü ve kurumsal müşterilerine sunulan yüksek performanslı, yüksek kapasiteli katı hal sürücülerini (SSDler) ve flash tabanlı depolama için çığır açan bir performans sağlayan yeni çözümü Z-SSDyi tanıttı.
Samsungun 4. Nesil V-NAND, Önceki Nesilden Yüzde 30 Daha Fazlasını Depoluyor
Samsung; NAND ölçeklendirme, performans ve depolama kapasitesi sınırlarını zorlayan 4. nesil, 64 katmanlı üç seviye hücreli V-NAND flaş belleğini tanıttı. 64 hücre dizi katmanı depolayan yeni V-NAND, tek kalıp yoğunluğunu 512Gb ve IO hızını 800Mbpsye yükseltebilir.
Bu yılın dördüncü çeyreğinde de Samsung, tüketicilere tepki hızı daha yüksek bir çözüm sunarken üreticilerin daha hızlı, daha şık ve taşınabilir bilişim cihazları üretmesine yardımcı olacak dünyanın ilk 4. nesil V-NAND flaş bellek ürünlerini sunmayı planlıyor.
Dünyanın En Geniş Kapasiteli Sürücüsü 32TB SAS SSD Kurumsal Depolama Sistemleri için
Samsungun en yeni Seri Eklemeli SCSI (SAS) SSDsi, 512-gigabayt (Gb) V-NAND çiplerine dayalı olarak bugüne kadar piyasaya sürülmüş dünyanın en büyük tek sürücüsü. 1 terabaytlık (TB) bir paket oluşturmak için 16 katmana toplamda 512 V-NAND çipi istiflendi ve 32 terabayt (TB) SSD de bu paketlerden 32 tane içeriyor.
Yeni 4. nesil V-NAND tasarımını benimseyen 32TB SAS SSD, iki sabit disk sürücüsü (HDDler) rafı kullanan aynı türde sisteme kıyasla 40 kata kadar sistem alan gerekliliklerini azaltabilir. 32TB SAS SSD, 2-5 inç form faktöründe gelecek ve 2017de üretilecek. Samsung, aynı zamanda 100TBden fazla depolama kapasitesine sahip SSDlerin V-NAND teknolojisinin sürekli iyileşmesi sayesinde 2020ye kadar piyasaya sürülmesine çalışıyor.
Tek BGA Paketinde 1TB Bellek
Samsung 1TB BGA SSD, üç katmanlı hücre V-NAND flaş çipleri, LPDDR4 mobil RAM ve gelişmiş Samsung kontrol birimi dahil tüm temel SSD bileşenlerini içeren son derece kompakt paket tasarımına sahip.
1500 MB/sde sıralı olarak okuma ve 900MB/sde sıralı olarak yazma yeteneği ile önceden görülmemiş bir performans sunacak. Önceki nesline göre boyutu yüzde 50ye kadar düşen SSD, sadece yaklaşık bir gram ağırlığında ki bu da onu yeni nesil ultra kompakt dizüstü bilgisayarlar, tabletler ve değiştirilebilirler için ideal kılıyor.
Önümüzdeki yıl Samsung, Samsung Electronicsin Samsung Electro-Mechanics ile birlikte geliştirdiği FO-PLP (Çıkış Yelpazesi Panel Seviyesi Ambalajlama) adı verilen yüksek yoğunluklu bir ambalajlama teknolojisi benimseyerek 1TB BGA SSDsini tanıtmayı planlıyor.
Yeni Z-SSD, NAND Flaş Bellek Depolarının Performans Sınırlarında Çığır Açıyor
Samsung, aynı zamanda yüksek performanslı, ultra düşük gecikmeli bir SSD çözümü geliştirdi: Z-SSD. Samsungun Z-SSDsi, V-NANDın temel yapısını paylaşır ve de NVMe SSDden dört kata kadar daha hızlı gecikme ve 1,6 kat daha iyi sıralı okuma ile performansı maksimuma çıkarabilecek bir devre tasarımına ve kontrol birimine sahiptir.
Z-SSD, son derece yoğun gerçek zamanlı analiz ile uğraşan sistemlerde kullanılacak ve de her tür iş yükü için yüksek performans getirecektir. Önümüzdeki yıl piyasaya sürülmesi bekleniyor.
